新生儿低血糖脑损伤的磁共振表现及弥散加权成像优势

　　近日，安徽医科大学第二附属医院放射科研究人员发表论文，旨在探讨新生儿低血糖脑损伤的核磁共振成像（MRI）表现及磁共振弥散加权成像技术（DWI）优势。研究指出，低血糖脑损伤最常见的发生部位是大脑半球后部顶枕叶皮质及皮质下白质区；DWI扫描可以发现早期的低血糖脑损伤，较常规MRI更为敏感。该文发表在2013年第02期《安徽医科大学学报》杂志上。

　　回顾性分析临床诊断为低血糖脑损伤的19例患者的MRI和DWI表现。

　　19例患者中，18例顶枕叶皮质及皮质下白质受累，9例胼胝体受累，6例内囊后肢高信号消失，5例侧脑室旁脑白质受累，2例基底节受累，1例尾状核头部受累。所有患者DWI均可见异常（100%），但仅有48.4%于常规MRI序列表现为阳性。3个月后2例复查MRI，均发现双侧顶枕叶多发软化灶。